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简体中文 免抛光镜面直用 · 可直接进入晶圆级产线
01 / 材料方案
德百顺以自主研发的CVD金刚石制备技术，提供从晶圆级热沉片到界面热管理的完整材料方案--
把热管理从封装级下沉到芯片级，从源头压低热点温度、改善热阻、提升器件可靠性与寿命。
02 / 产品矩阵
从多晶金刚石晶圆、单晶金刚石，到金刚石柔性薄膜、硅基金刚石与 陶瓷基金刚石，
德百顺以统一的 MPCVD / 异相形核工艺平台，按应用场景交付不同形态的金刚石散热材料。
德百顺多晶金刚石由 MPCVD 设备经异相形核工艺制备，晶粒致密、连续相无接缝，热导率覆盖 1000–1800 W/(m·K) 多个档位，以更低的成本与更短的交期，为热沉、散热基板与光学窗口提供大尺寸金刚石材料。
采用 MPCVD 法在高品质单晶籽晶上同质外延生长，晶体缺陷可控、批次一致性稳定。按应用分级交付，并支持定制。
德百顺金刚石柔性膜由 CVD 金刚石层经剥离工艺制成，是一张完全自支撑的独立金刚石薄膜 —— 不依赖胶带、聚合物或硬质载板，因此也没有胶层带来的附加热阻与挥发物。
在保留金刚石高热导与电绝缘本性的同时获得宏观可弯折能力，可贴合曲面与异形热源，支持激光裁切与开孔，按任意平面形状交付。
德百顺硅基金刚石以硅晶圆为衬底，通过异相形核工艺直接生长连续相 CVD 金刚石层 —— 金刚石与硅之间无粘接层、无接缝，界面热阻趋近于零。
硅衬底保留了与主流半导体工艺完全兼容的物理特性：热膨胀系数与 Si/GaN/SiC 器件匹配，可直接进行共晶键合、直接键合与倒装互连；金刚石层负责以 1000–1800 W/(m·K) 的热导率把热点热量横向铺开。尺寸与厚度按需定制，适配 2.5D/3D 封装与 Chiplet 架构，缓解堆叠芯片间的热耦合，让先进封装的散热路径短一个数量级。
德百顺陶瓷基金刚石以碳化硅（SiC）、氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）等非氧化物陶瓷为衬底，通过异相形核工艺直接生长连续相 CVD 金刚石层 —— 金刚石与陶瓷之间无粘接层、无接缝，界面热阻趋近于零。
陶瓷衬底本身就是功率封装的标准绝缘底座：绝缘耐压，热膨胀系数与 SiC/GaN 芯片匹配；金刚石层负责以 1000–1800 W/(m·K) 的热导率把热点热量横向铺开。衬底材质、尺寸与厚度按需定制，兼容键合与金属化工艺，适配 GaN/SiC 功率模块、射频功放与高功率激光器 —— 在不牺牲绝缘性能的前提下，把器件结温再压低一档。
03 / 应用场景
芯片性能的持续跃升，正把散热推向材料物理极限的边缘。德百顺专注于 CVD 金刚石材料的研发与制造，以金刚石热沉片、硅基金刚石、陶瓷基金刚石、金刚石柔性膜和单晶金刚石五大产品线，为 AI 芯片、功率半导体、激光器、射频通讯、新能源汽车、航天等行业提供从芯片近结位置导出热量的完整散热方案。
GPU、CPU 及 Chiplet 先进封装的热点热流密度已超出传统散热材料的承载能力，德百顺硅基金刚石可与芯片直接键合，在离热源最近的位置建立高效导热通道。
功率半导体面临的挑战同样严峻 —— GaN、SiC 器件的局部热流密度可达平均值的 5 至 10 倍，陶瓷基金刚石与金刚石热沉片直接贴合芯片热源，显著降低结温，为功率密度和器件寿命留出更大余量。
在激光器行业，金刚石热沉片已成为高功率半导体激光器巴条与光纤激光器泵浦源的主流散热基板；5G 基站 GaN 功率放大器、雷达 T/R 组件等射频通讯器件，也通过金刚石散热方案获得了更高的输出功率与长期可靠性。
新能源汽车 800V 平台的普及，推动 SiC 主驱逆变器与车载充电机的功率密度不断攀升，金刚石散热基板正在为车规功率模块开辟下一代热管理路径。
光通讯领域，800G / 1.6T 高速光模块中的激光器芯片对温控精度要求严苛，金刚石热沉可有效抑制波长漂移，保障链路稳定。
随着数据中心单机柜功率迈向 100kW，服务器电源与供电模块的散热也开始依赖金刚石材料的支撑。
金刚石兼具抗辐射与超高热导特性，是星载功放、相控阵天线轻量化热控的理想选择。金刚石柔性膜可贴合曲面与异形器件，为柔性电子散热提供了传统刚性材料无法实现的全新选择。
